開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)MOS反峰及RCD吸收回路[2]

  VDC＝VD* 10%

  ⅳ，RCD吸收VRCD。

  MOS管的VD減去ⅰ，ⅲ三項(xiàng)就剩下VRCD的最大值。實(shí)際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開(kāi)關(guān)電源各個(gè)元件的分散性，溫度漂移和時(shí)間飄移等因素得影響）。

  VRCD＝（VD-VDC -VDS）*90%

  注意：① VRCD是計(jì)算出理論值，再通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行調(diào)整，使得實(shí)際值與理論值相吻合。

  ② VRCD必須大于VOR的1.3倍。（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）

  ③ MOS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍。（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過(guò)大了）

  ④ 如果VRCD的實(shí)測(cè)值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。

  ⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的。

  ⅴ，RC時(shí)間常數(shù)τ確定。

  τ是依開(kāi)關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個(gè)開(kāi)關(guān)電源周期。

  三﹑試驗(yàn)調(diào)整VRCD值

  首先假設(shè)一個(gè)RC參數(shù)，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應(yīng)遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值，務(wù)必使VRCD小于計(jì)算值。如發(fā)現(xiàn)到達(dá)計(jì)算值，就應(yīng)當(dāng)立即斷電，待將R值減小后，重復(fù)以上試驗(yàn)。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容“＋”極的RC一點(diǎn)上，測(cè)試點(diǎn)接到RC另一點(diǎn)上）。一個(gè)合適的RC值應(yīng)當(dāng)在較高輸入電壓，最重的電源負(fù)載下，VRCD的試驗(yàn)值等于理論計(jì)算值。

  四﹑試驗(yàn)中值得注意的現(xiàn)象

  輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負(fù)載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓，重負(fù)載時(shí)VRCD的試驗(yàn)值如果大于以上理論計(jì)算的VRCD值，是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？一點(diǎn)都不矛盾，理論值是在較高輸入電壓時(shí)的計(jì)算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負(fù)載是指開(kāi)關(guān)電源可能達(dá)到的最大負(fù)載。主要是通過(guò)試驗(yàn)測(cè)得開(kāi)關(guān)電源的極限功率。

  五﹑RCD吸收電路中R值的功率選擇

  R的功率選擇是依實(shí)測(cè)VRCD的最大值，計(jì)算而得。實(shí)際選擇的功率應(yīng)大于計(jì)算功率的兩倍。

  編后語(yǔ)：RCD吸收電路中的R值如果過(guò)小，就會(huì)降低開(kāi)關(guān)電源的效率。然而，如果R值如果過(guò)大，MOS管就存在著被擊穿的危險(xiǎn)。

[1]  [2]