開關(guān)電源設(shè)計MOS反峰及RCD吸收回路[2]

  VDC＝VD* 10%

  ⅳ，RCD吸收VRCD。

  MOS管的VD減去ⅰ，ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開關(guān)電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。

  VRCD＝（VD-VDC -VDS）*90%

  注意：① VRCD是計算出理論值，再通過實驗進行調(diào)整，使得實際值與理論值相吻合。

  ② VRCD必須大于VOR的1.3倍。（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）

  ③ MOS管VD應(yīng)當小于VDC的2倍。（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過大了）

  ④ 如果VRCD的實測值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。

  ⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的。

  ⅴ，RC時間常數(shù)τ確定。

  τ是依開關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個開關(guān)電源周期。

  三﹑試驗調(diào)整VRCD值

  首先假設(shè)一個RC參數(shù)，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應(yīng)遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應(yīng)當嚴密注視RC元件上的電壓值，務(wù)必使VRCD小于計算值。如發(fā)現(xiàn)到達計算值，就應(yīng)當立即斷電，待將R值減小后，重復以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容“＋”極的RC一點上，測試點接到RC另一點上）。一個合適的RC值應(yīng)當在較高輸入電壓，最重的電源負載下，VRCD的試驗值等于理論計算值。

  四﹑試驗中值得注意的現(xiàn)象

  輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓，重負載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？一點都不矛盾，理論值是在較高輸入電壓時的計算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負載是指開關(guān)電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關(guān)電源的極限功率。

  五﹑RCD吸收電路中R值的功率選擇

  R的功率選擇是依實測VRCD的最大值，計算而得。實際選擇的功率應(yīng)大于計算功率的兩倍。

  編后語：RCD吸收電路中的R值如果過小，就會降低開關(guān)電源的效率。然而，如果R值如果過大，MOS管就存在著被擊穿的危險。

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