濾波電容在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用[1]

  引言

  為微處理器系統(tǒng)中的能量存儲(chǔ)/傳輸處理選擇體去耦電容是一件復(fù)雜的事情，由于強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品的物理尺寸，處理器制造商一般只規(guī)定滿足器件能量轉(zhuǎn)換要求所需要的電容量，而不考慮為適合的電容排列留置的可用空間。嵌入式單板計(jì)算機(jī)中所用的處理器還要求更高的電容充放電性能，從而要求一個(gè)低的時(shí)間常數(shù)。

  隨著電容制造向更小型化封裝應(yīng)用的繼續(xù)推進(jìn)，一種高電容量、低ESR及低電壓應(yīng)用的理想方案是3-D多陽(yáng)極涂層（conformalcoated）片式電容。

  高電容量和低ESR技術(shù)

  有多種技術(shù)已可實(shí)現(xiàn)單位體積電容量的優(yōu)化。例如，涂層片式鉭電容技術(shù)，該技術(shù)去除了常規(guī)模壓固體鉭電容的引線框結(jié)構(gòu)，同時(shí)這種類(lèi)似于半導(dǎo)體特殊封裝的技術(shù)大大降低平均尺寸。Vishay已經(jīng)開(kāi)發(fā)了涂層鉭片式技術(shù)，用于滿足NASA要求的電容使用。這些產(chǎn)品遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了常規(guī)模壓表面安裝鉭電容（SMD）的容積效率。不過(guò)設(shè)計(jì)師們還需要使ESR最小化，而這一要求刺激了多種候選方案。

  Polymer鋁電容

  Polymer鋁電容具有非常低的ESR，在10m或更小的范圍，它填充了高電容量多層陶瓷電容（MLCC）和鉭聚合物電容之間的應(yīng)用空間。不過(guò)，盡管它們滿足了濾波應(yīng)用中所需的ESR要求，但它們的容積效率通常要比鉭技術(shù)小很多。在組裝空間十分珍貴的應(yīng)用中，這種技術(shù)必須讓位于其它技術(shù)如鉭式技術(shù)等。

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