LDO在開關電源中的應用[2]

  目前市場上出售的開關電源中采用雙極性晶體管制成的開關頻率100kHz，用MOS-FET制成的開關頻率500kHz電源。開關電源的突出缺點是產生較強的EMI。EMI信號既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經傳導和輻射會污染電磁環(huán)境，對通信設備和電子產品造成干擾。如果處理不當，開關電源本身就會變成一個干擾源。當用開關電源做為LDO的輸入VIN時要注意LDO電源抑制比和功耗。

  電源抑制比PSRR（Power supply ripple rejectionratio）是反應LDO輸出對輸入紋波抑制能力的一個交流參數，一般輸出和輸入的頻率是一樣的，PSRR的值越大說明LDO的紋波能力越強，也就是說輸入對輸出的影響很小。盡管LDO的電源抑制比很強，但都是在一定頻率內的抑制很強，一般的在50KHz到200kHz的電源抑制比還是很差的如圖（4）為SGM2007的PSRR和頻率曲線，而這段頻率正是大多數開關電源的工作頻率，如果LDO的負載和輸入輸出電容匹配不好，很容易引起LDO振蕩。而造成整個LDO供電系統(tǒng)的不穩(wěn)定。

  目前市場上出售的開關電源大多數都是固定電壓輸出的，一般常用都是5V輸出的，而一般的LDO應用最多的是3.3V輸出的，在開關電源的輸出做為LDO的輸入時，就存在一個很大的壓差，為1.7V。如果LDO電流很大的話如200mA，那么芯片的溫度就會很高，功耗很大，長時間工作在高溫的情況下，會影響芯片的工作壽命。

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