LDO在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用[2]

  目前市場(chǎng)上出售的開(kāi)關(guān)電源中采用雙極性晶體管制成的開(kāi)關(guān)頻率100kHz，用MOS-FET制成的開(kāi)關(guān)頻率500kHz電源。開(kāi)關(guān)電源的突出缺點(diǎn)是產(chǎn)生較強(qiáng)的EMI。EMI信號(hào)既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導(dǎo)和輻射會(huì)污染電磁環(huán)境，對(duì)通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。如果處理不當(dāng)，開(kāi)關(guān)電源本身就會(huì)變成一個(gè)干擾源。當(dāng)用開(kāi)關(guān)電源做為L(zhǎng)DO的輸入VIN時(shí)要注意LDO電源抑制比和功耗。

  電源抑制比PSRR（Power supply ripple rejectionratio）是反應(yīng)LDO輸出對(duì)輸入紋波抑制能力的一個(gè)交流參數(shù)，一般輸出和輸入的頻率是一樣的，PSRR的值越大說(shuō)明LDO的紋波能力越強(qiáng)，也就是說(shuō)輸入對(duì)輸出的影響很小。盡管LDO的電源抑制比很強(qiáng)，但都是在一定頻率內(nèi)的抑制很強(qiáng)，一般的在50KHz到200kHz的電源抑制比還是很差的如圖（4）為SGM2007的PSRR和頻率曲線，而這段頻率正是大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源的工作頻率，如果LDO的負(fù)載和輸入輸出電容匹配不好，很容易引起LDO振蕩。而造成整個(gè)LDO供電系統(tǒng)的不穩(wěn)定。

  目前市場(chǎng)上出售的開(kāi)關(guān)電源大多數(shù)都是固定電壓輸出的，一般常用都是5V輸出的，而一般的LDO應(yīng)用最多的是3.3V輸出的，在開(kāi)關(guān)電源的輸出做為L(zhǎng)DO的輸入時(shí)，就存在一個(gè)很大的壓差，為1.7V。如果LDO電流很大的話如200mA，那么芯片的溫度就會(huì)很高，功耗很大，長(zhǎng)時(shí)間工作在高溫的情況下，會(huì)影響芯片的工作壽命。

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