功率場(chǎng)控晶體管MOSFET是一種復(fù)合型電力半導(dǎo)體器件。（)

A.電壓

B.電流

C.電阻

D.功率

A:GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET

B:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR

C:MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管

D:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO

A.電流

B.電壓

C.功率

D.頻率

A.GTO和普通晶閘管一樣,外部也是引出陽(yáng)極、陰極和門(mén)極。

B.GTR是由三層半導(dǎo)體形成的兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,分別引出集電極、基極和發(fā)射極個(gè)引腳。

C.電力MOSFET也是多元集成結(jié)構(gòu),引出基極、漏極、源極。

D.IGBT是三端器件,具有柵極、集電極和發(fā)射極。

A.雙極型

B.多數(shù)載流子

C.少數(shù)載流子

D.無(wú)載流子

A.單極型器件

B.雙極型器件

C.復(fù)合型器件

D.單合型器件