試計(jì)算圖題11－6所示電路的輸出電壓Vo。

發(fā)，斜率為g_D的直線，且二極管工作在受v_L控制的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

試畫出圖LT6-12(a)所示整流電路中v_O1、v_O的波形，已知電阻。設(shè)各集成運(yùn)放及二極管是理想的。

電路如圖16.16所示，已知u_i1=1V，u_i2= 2V，u_i3=3V，u_i4=4V，R₁=R₂=2kΩ，R₃=R₄=R_F=1kΩ，試計(jì)算輸出電壓u_o。

電路如圖(a)所示，其輸入電壓u_I1和u_I2的波形如圖(b)所示，二極管導(dǎo)通電壓u_D=0.7V。試畫出輸出電壓u_O的波形，并標(biāo)出幅值。

二極管電路如下圖所示，二極管的導(dǎo)通電壓U_D(on)=0.7V，試分別求出R為1kΩ、4kΩ時(shí)，電路中電流I₁、I₂、I_O和輸出電壓U_O。

在下圖所示的電路中，已知R_b=260kΩ，R_e=R_L=5.1kΩ，R_s=500Ω，V_EE=12V，β=50。試求：(1)電路的Q點(diǎn)；(2)電壓增益A_v輸入電阻R_i及輸出電阻R_o；(3)若v_s=200mV，求v_o。

某反饋放大電路的方框圖如下圖所示，已知其開(kāi)環(huán)電壓增益A_v=2000，反饋系數(shù)F_v=0.0495。若輸出電壓v_o=2V，求輸入電壓v_i、反饋電壓v_f及凈輸入電壓v_id的值。

圖LP3-3所示電路，P溝道增強(qiáng)型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。

(1)試證：對(duì)于任意Rs值，場(chǎng)效應(yīng)管都工作在飽和區(qū)。 (2)當(dāng)Rs為12．5 kΩ時(shí)，試求電壓VO值。