太陽電池用直拉單晶硅中的主要缺陷是()。

A、從高純多晶硅轉化成單晶硅的步驟都非常重要

B、后者采用直拉法或區(qū)熔法單晶硅，而前者不是

C、前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅

D、兩者可以采用同樣的高純多晶硅作為原料

A.肖脫基缺陷

B.弗蘭克缺陷

C.線缺陷

D.面缺陷

A.位錯

B.空位

C.間隙原子

D.晶界

A、原生長缺陷

B、二次缺陷

C、點缺陷

D、誘生缺陷

A.本征吸收

B.散射吸收

C.雜質吸收

D.原子缺陷吸收

晶體由N個原子組成，如圖3-2所示．當原子離開正常位置而占據圖巾的格點間隙位置時，晶體中就出現空位和填隙原子．品體的這種缺陷稱為弗侖克爾(Frenkel)缺陷．假設正常位置和填隙位置數均為N，試證明：由于在晶體中形成n個空位和填隙原子而具有的熵等于

．

設原子在填隙位置和正常位置的能量差為u，證明當nN時，有

．

A.溫度

B.摻雜工藝

C.摻雜濃度

D.晶格缺陷

遺傳性血管神經性水腫是由哪類補體缺陷引起的()

A、C3缺陷

B、C4缺陷

C、C1INH

D、C1q缺陷

E、C9缺陷

A、原發(fā)性B細胞缺陷

B、原發(fā)性T細胞缺陷

C、重癥聯(lián)合免疫缺陷

D、原發(fā)性吞噬細胞缺陷

E、原發(fā)性補體系統(tǒng)缺陷