按器件的可控性分類，普通晶閘管屬于（)。

A.不控

B.半控

C.全控

D.自控

A.功率輸出型器件

B.電壓輸出型器件

C.電流輸出型器件

A.單極型器件

B.雙極型器件

C.復(fù)合型器件

D.單合型器件

A、屬于電壓控制型器件

B、屬于電流控制型器件

A.繼電器型

B.晶體管型

C.晶閘管型

A.GTO和普通晶閘管一樣,外部也是引出陽(yáng)極、陰極和門極。

B.GTR是由三層半導(dǎo)體形成的兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,分別引出集電極、基極和發(fā)射極個(gè)引腳。

C.電力MOSFET也是多元集成結(jié)構(gòu),引出基極、漏極、源極。

D.IGBT是三端器件,具有柵極、集電極和發(fā)射極。

A、絕緣柵雙極晶體管

B、電力晶體管

C、晶閘管