考研計(jì)算機(jī)專業(yè)基礎(chǔ)綜合（自命題）在線題庫(kù)每日一練（一十六）

本文提供考研計(jì)算機(jī)專業(yè)基礎(chǔ)綜合（自命題）在線題庫(kù)每日一練，以下為具體內(nèi)容

1、地址變換是實(shí)現(xiàn)（ ）。

A、邏輯地址到物理地址的映射

B、邏輯地址大小的擴(kuò)充

C、物理地址大小的擴(kuò)充

D、有效地址大小的擴(kuò)充。

2、計(jì)算機(jī)內(nèi)存通常按照字節(jié)編址，設(shè)若干片256K×8位的SRAM芯片構(gòu)成的2048K×32位的存儲(chǔ)器，使得每次能夠讀寫4個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，請(qǐng)問存儲(chǔ)器與CPU連接的地址線和數(shù)據(jù)線數(shù)目為（ ）。

A、21，32

B、23，8

C、21，8

D、23，32

3、一棵二叉樹結(jié)點(diǎn)的（ ）可唯一確定一棵二叉樹。

A、前序序列和中序序列

B、前序序列和后序序列

C、中序序列

D、后序序列

4、進(jìn)程間可以使用不同的方式進(jìn)行通信，但不包括（ ）。

A、全局變量

B、共享內(nèi)存

C、共享文件

D、消息

5、對(duì)于某DDR存儲(chǔ)芯片，需要?jiǎng)討B(tài)刷新保持?jǐn)?shù)據(jù)，假定其刷新間隔為2ms，讀寫周期和刷新周期均為0.5us，該芯片中包含128 行，每個(gè)刷新周期可完成1行存儲(chǔ)單元的刷新，如果該芯片采用集中刷新的方式工作，那么讀寫周期和刷新周期的合理安排為（ ）。

A、4000次讀寫周期后，安排128次刷新操作

B、3872次讀寫周期后，安排128次刷新操作

C、128次讀寫周期后，安排1次刷新操作

D、2000次讀寫周期后，安排1次刷新操作