2021年西南科技大學材料科學與工程考研材料科學基礎科目真題

2021年西南科技大學材料科學與工程考研材料科學基礎科目真題

一、選擇題(每小題3分，共60分)

1、鎂橄欖石[Mg₂SiO₄]是( )。

A:島狀結(jié)構(gòu)

B:層狀結(jié)構(gòu)

C:鏈狀結(jié)構(gòu)

D:架狀結(jié)構(gòu)

2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負離子問的距離( ), 離子配位數(shù)( )。

A:增大，降低

B:減小，降低

C:減小，增大

D:增大，增大

3、某一晶面在a、b、c三個結(jié)晶軸上的截距分別為2a、2b、c,該晶面的晶面指數(shù)為( )。

A: [211]

B:(211)

C:[12]

D:(112)

4、當N個等大的球體作面心立方堆積時,形成的八面體空隙個數(shù)為()。

A:N

B: 2N

C: 3N

D: 4N

5、TIO₂ 是還原氣氛下燒結(jié)時形成常見的( ) 的半導體材料，其燒結(jié)體色澤隨著氣氛中氧氣分壓的降低而( )。

A:陽離子空位型、加深

B:陰離子空位型、變淺

C:陰離子空位型、加深

D:陰離子填隙型、變淺

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2021年西南科技大學材料科學與工程考研材料科學基礎科目真題